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  • EV、HEV用IGBT???/h1>
    采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT???产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

    产品信息

    • 产品信息

    EV、HEV用IGBT???650V级

    ※点击产品图像即可查看等效电路图。

    VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

    Package Device type VCES
    Volt
    IC(Cont)
    Amps.
    IC(Peak)
    Amps.
    VCE(sat)
    Typ. Volts
    VF
    Typ. Volts
    Net mass Grams

    M651
    6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

    M652
    6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

    :新产品

    :更新

    :开发中

     


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